MRF8S9170NR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1000 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
177
?
W
IMD Symmetry @ 160 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
17
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
50
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
=50WAvg.
GF
?
0.32
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.01
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.01
?
dBm/°C
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